最適パラメータ抽出装置及び抽出方法、並びに本方法を用いるマスクデータ、マスク及び半導体装置の製造方法

Optimum parameter extraction device and extraction method, and mask data, mask and production method for semiconductor device using the method

Abstract

【課題】 複雑なモデル又は計算式に必要な最適パラメータを高精度で短期間に抽出する装置及び方法、具体的には半導体製造プロセス又はデバイスシミュレーションにおける最適なマスクパラメータを抽出する装置を提供する。 【解決手段】 パラメータ抽出装置100が、データ入力部101と、一以上のパラメータセット集合を生成するパラメータ生成部108と、当該パラメータセット集合の大域的最適化を行う第1パラメータ抽出部109と、当該パラメータセット集合の中から最適なパラメータセットを局所的最適化法により求める第2パラメータ抽出部110を備えて構成され、パラメータ生成部108が、求めたいパラメータセットを変数として、モデル又は計算式の連続性及び微分可能性を判定し、連続或いは微分可能な関数として表現できる場合、第1パラメータ抽出部が粒子群最適化法による大域的最適化を行う。 【選択図】 図4
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and a method for extracting an optimum parameter necessary for a calculation expression or a complicated model with high accuracy in a short period, specifically, a device for extracting an optimum mask parameter in a semiconductor production process or device simulation. <P>SOLUTION: This parameter extraction device 100 includes: a data input part 101; a parameter generation part 108 generating one or more parameter set sets; a first parameter extraction part 109 performing global optimization of the parameter set sets; and a second parameter extraction part 110 obtaining an optimum parameter set from the parameter set sets by a local optimization method. The parameter generation part 108 decides differentiability and continuity of the calculation expression or the model with the parameter set desired to be obtained as a variable, and the first parameter extraction part performs the global optimization by a particle group optimization method when the calculation expression or the model can be expressed as a continuous or differential function. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

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